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J-GLOBAL ID:200903002519895410
薄膜形成方法及び形成装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 敬四郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998357584
Publication number (International publication number):2000183164
Application date: Dec. 16, 1998
Publication date: Jun. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 薄膜形成装置の維持管理の容易な薄膜形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】 形成すべき薄膜の構成元素を一部に含む化合物である原料物質を溶媒に溶かした原料溶液を準備する。基板を、原料物質の分解温度以上の温度まで加熱する。原料溶液と、加熱された基板の表面とを接触させることにより、原料物質を分解し、分解により生成した物質を基板の表面上に堆積する。
Claim (excerpt):
形成すべき薄膜の構成元素を一部に含む化合物である原料物質を溶媒に溶かした原料溶液を準備する工程と、基板を、前記原料物質の分解温度以上の温度まで加熱する工程と、前記原料溶液と、加熱された前記基板の表面とを接触させることにより、前記原料物質を分解し、分解により生成した物質を前記基板の表面上に堆積する工程とを含む薄膜形成方法。
IPC (3):
H01L 21/768
, C23C 18/08
, H01L 21/288
FI (3):
H01L 21/90 A
, C23C 18/08
, H01L 21/288 Z
F-Term (36):
4K022AA05
, 4K022AA41
, 4K022BA08
, 4K022DA06
, 4K022DB15
, 4K022DB18
, 4K022DB24
, 4M104BB04
, 4M104BB30
, 4M104DD51
, 4M104FF13
, 4M104FF22
, 5F033HH11
, 5F033HH33
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK11
, 5F033KK33
, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP02
, 5F033PP11
, 5F033PP26
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033SS11
, 5F033WW03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平2-094433
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特開平2-094433
-
成膜方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-308654
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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めっき処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-107201
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体製造方法並びにその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-133502
Applicant:菅沼啓一郎
-
半導体基板上に極小スケールのCu相互接続金属を形成する方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-108044
Applicant:財団法人工業技術研究院
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