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J-GLOBAL ID：200903002567407819

検証方法及び検証装置

Inventor： 永瀬 典正 ,  鈴木 浩一 ,  峯村 雅彦 ,  高橋 和彦 ,  山内 敏 ,  岡田 朋之
Applicant, Patent owner： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007107057
Publication number (International publication number)：2008268265
Application date： Apr. 16, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】OPC後のマスクパターンに対する、高精度で短TAT化が可能な検証方法を提供する。【解決手段】OPC後のマスクパターン20から検出される欠陥部21を含む検証領域22に対して、リソグラフィシミュレーション部11によりシミュレーションを行い、ウエハ上におけるContour図形23を生成し、ニューラルネットワーク処理部12により、予め、OPCで生じる欠陥の属性を学習させた第1のニューラルネットワークに、欠陥部21を合成した検証領域22の設計データ24を入力して欠陥の属性を判定し、ニューラルネットワーク処理部13により、予め、Contour図形23と欠陥の属性の組み合わせの合否を学習させた第2のニューラルネットワークに、今回生成されたContour図形23及び、判定された欠陥の属性を入力して合否判定を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光近接効果補正後のマスクパターンの検証領域に対して、リソグラフィシミュレーション部がシミュレーションを行い、ウエハ上における予想転写図形を生成する工程と、 予め欠陥の属性を学習した第1のニューラルネットワーク処理部が、前記検証領域の設計データを取得して前記属性を判定する工程と、 予め前記予想転写図形と前記属性の組み合わせの合否を学習した第2のニューラルネットワーク処理部が、前記予想転写図形及び、判定された前記属性に基づいて合否判定する工程と、 を有することを特徴とする検証方法。

IPC (1)：

G03F 1/08

FI (1)：

G03F1/08 S

F-Term (4)：

2H095BD03 ,  2H095BD04 ,  2H095BD26 ,  2H095BD27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• マスクパターン検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-305145   Applicant：三菱電機株式会社
• 光近接効果補正の方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-390830   Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法、これに用いられるライブラリ、記録媒体および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-264108   Applicant：松下電器産業株式会社
• シミュレーションモデルの作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-245064   Applicant：株式会社東芝
• 設計データ又はマスクデータの補正方法および補正システム、設計データ又はマスクデータの検証方法および検証システム、半導体集積回路の歩留まり予測方法、デザインルールの改善方法、マスクの製造方法、並びに、半導体集積回路の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-161906   Applicant：シャープ株式会社
• パターン近接効果補正方法、プログラム、及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-236960   Applicant：富士通株式会社