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J-GLOBAL ID：200903002814091552
リソグラフ的に画定される超小型電子接触構造体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998549594
Publication number (International publication number)：2000512437
Application date： May. 14, 1998
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：
【要約】電子部品のような基板(202,302,402)の表面上にマスク層(220,320,420)を適用し、このマスク層に開口(222,322,422)を生成し、シード層(250,350,450)の導電性トレースを前記マスク層の上と前記開口の中に堆積して、導電性トレース上に導電性材料の塊を構築することにより、超小型電子接触構造体(260,360,460)がリソグラフ的に画定され、製造される。開口の側壁は傾斜(テーパ)していることができる。導電性トレースは、ステンシル又はシャドウマスク(240,340,440)を介して材料を堆積することによってパターン化できる。接触構造体の先端部(264,364,464)がトポロジーを取得するように、突出造作(230,430)をマスク層上に配置することができる。これらの構成要素は全てグループとして構成して、精密に位置決めされた複数の弾性接触構造体を形成することができる。
Claim (excerpt)：
接触構造体の作成方法であって、 表面と、この表面に隣接する端子を備える電子部品を準備し、 前記電子部品上に、前記表面に隣接する開口を備えるマスク層を堆積し、 導電性材料のシード層を堆積して、前記端子の少なくとも1部の上側に前記 シード層の基端部領域を形成し、前記マスク層の少なくとも1部の上側に前記 シード層の主本体部領域を形成し、前記基端部領域と前記主本体部領域を接続 し、及び 前記シード層上に導電性材料の塊層を堆積して、前記端子に電気接続された 接触構造体を形成することからなる方法。
IPC (2)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 Q
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