薄膜半導体装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994287383
Publication number (International publication number)：1996125195
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン間のリーク電流を減少させ、また、劣化等を防止する。【構成】シリコンをエッチングする作用を有する液体(NH2 基を有するヒドラジン(NH2 NH2 )やエチレンジアミン(NH2 (C2 H2 )NH2 )や気体(フッ化塩素等)を用いて、ウェットエッチング法もしくは非電離状態のガスエッチング法によってシリコン膜をエッチングし、テーパー状のエッヂを有する島状シリコン半導体領域を得る。さらに、その上を覆って、熱CVD法等の非プラズマプロセスによるゲイト絶縁膜を形成する。以上のプロセスにより、プラズマによるダメージを全く受けない島状シリコン領域とゲイト絶縁膜を得ることができ、プラズマダメージに由来するソース/ドレイン間のリーク電流を低減でき、また、特性劣化を防止できる。

Claim (excerpt)：

(1) 絶縁表面上に形成された厚さ100〜1000Åのシリコン膜上にマスク膜を選択的に形成する工程と、(2) シリコンをエッチングする作用を有する液体もしくは非電離状態の気体によって、前記マスクを用いてシリコン膜をエッチングすることにより島状の薄膜シリコン半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L 29/78 627 C , H01L 21/302 P , H01L 21/306 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-040522 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162074 Applicant：株式会社リコー
薄膜状半導体装置の作製方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191934 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Cited by examiner (17)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-040522 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-188876
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305469 Applicant：川崎製鉄株式会社

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