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J-GLOBAL ID：200903003035386135

自己走査型発光素子アレイチップ

Inventor：
大野 誠治

About 大野 誠治


Applicant, Patent owner：
日本板硝子株式会社

About 日本板硝子株式会社


Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002341628
Publication number (International publication number)：2003243696
Application date： Nov. 26, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：
【要約】【課題】 Siを構造材料として用い、Si基板上に形成した自己走査型発光素子アレイを提供する。【解決手段】 Si基板30上に格子不整合緩和層32を形成する。格子不整合緩和層32上に、エピタキシャル成長により、n形AlGaAs層14,p形AlGaAs層16,n形AlGaAs層18,p形AlGaAs層20が順次積層されている。AlGaAs層20上には、アノード電極22が、AlGaAs層18上にはゲート電極24が、GaAs基板の裏面にはカソード電極26が設けられている。
Claim (excerpt)：
Si基板と、前記Si基板上に設けられたpnpn層よりなる自己走査型発光素子アレイとを備える自己走査型発光素子アレイチップ。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455
FI (3)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 J ,  B41J 3/21 L
F-Term (18)：
2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162AH84 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA41 ,  5F041BB03 ,  5F041BB06 ,  5F041BB25 ,  5F041CA07 ,  5F041CA36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA82 ,  5F041DA92 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平1-238962号公報
  • 特開平2-14584号公報
  • 特開平2-92650号公報
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • アドバンスト エレクトロニクスI-1 III-V族化合物半導体, 19940520, 初版, 第3頁

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