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J-GLOBAL ID：200903003104769718

結晶成長用基板およびZnO系化合物半導体デバイス

Inventor： 加藤 裕幸 ,  佐野 道宏
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086247
Publication number (International publication number)：2003282602
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ZnO系化合物半導体の単結晶中には結晶欠陥が生じやすい。【解決手段】 a軸方向に階段状に連なった複数の(0001)面を有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層上に、六方晶結晶構造のZnO系化合物半導体単結晶をそのa軸方向に傾斜させて成長させる。

Claim (excerpt)：

a軸方向に階段状に連なった複数の(0001)面を表面に有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層を備え、該化合物単結晶層上に、a軸方向に傾斜した六方晶結晶構造のZnO系化合物半導体が成長される結晶成長用基板。

IPC (4)：

H01L 21/365 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/16 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/365 ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/16 ,  H01L 33/00 D

F-Term (24)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077SC08 ,  5F041CA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AD07 ,  5F045AD10 ,  5F045AE03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• A面サファイア基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-211223   Applicant：工業技術院長, ローム株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-206460   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光素子及びその製造方法、可視光発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-366118   Applicant：信越半導体株式会社