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J-GLOBAL ID：200903088816965136

発光素子及びその製造方法、可視光発光装置

Inventor：
石崎 順也

About 石崎 順也

, 
山田 雅人

About 山田 雅人


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000366118
Publication number (International publication number)：2002170993
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：
【要約】【課題】 発光層部の構成する際に希少金属の使用量が少なく、かつ比較的低温で成長でき、しかも青色光領域さらには紫外線領域にて高輝度発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子1は、p型クラッド層2、活性層33及びn型クラッド層34がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつp型クラッド層2がp型Mg<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>O(ただし、0<x≦1)層からなる。そして、その層形成をMOVPE法にて行なうことにより、成膜中の酸素欠損発生を効果的に抑制でき、良好な特性のp型Mg<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>O層を得ることが可能となる。
Claim (excerpt)：
n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつ前記p型クラッド層がp型Mg<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>O(ただし、0<x≦1)層からなることを特徴とする発光素子。
IPC (9)：
H01L 33/00 ,  C01G 9/00 ,  C01G 15/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/55 CPB ,  C09K 11/62 CQF ,  H01L 21/205 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (10)：
H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 C ,  C01G 9/00 B ,  C01G 15/00 Z ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/55 CPB ,  C09K 11/62 CQF ,  H01L 21/205 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 Z
F-Term (56)：
3K007AB00 ,  3K007AB02 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA00 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DA02 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007DC05 ,  3K007EC00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  4G047AA04 ,  4G047AB01 ,  4G047AB04 ,  4G047AB05 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4H001CC14 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC19 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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