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J-GLOBAL ID：200903003120218454

アッシング装置およびアッシング方法

Inventor：
高栖 伸行

About 高栖 伸行


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000082428
Publication number (International publication number)：2001274139
Application date： Mar. 23, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】アッシング装置およびアッシング方法において、イオン注入によってレジストの表面硬化層と内部の非硬化層との界面を検知できるようにする。【解決手段】アッシング中に硬化層から非硬化層に至るときウェハ15の温度が急激に上昇することを利用して、ウェハ15と接触する温度プロ-ブ1を設け、硬化層と非硬化層の界面を検出する。
Claim (excerpt)：
半導体基板に塗布されてマスクとして使用されたレジストに高濃度にイオン注入された前記レジストに形成された表面の硬化層と内部の非硬化層をプラズマアッシングするアッシング装置において、プラズマアッシング中に前記半導体基板の温度の変化を検出し前記硬化層と前記非硬化層の界面を検出する接触式温度プロ-ブを備えることを特徴とするアッシング装置。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46
FI (5)：
G03F 7/42 ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (17)：
2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096LA06 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004BA04 ,  5F004BD01 ,  5F004CA03 ,  5F004CB02 ,  5F004CB12 ,  5F004CB15 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004EA28 ,  5F004FA02 ,  5F046MA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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