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J-GLOBAL ID:200903003189483052

ヘッドスライダー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000186765
Publication number (International publication number):2002008217
Application date: Jun. 21, 2000
Publication date: Jan. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 5nm以下の極薄膜厚においても耐摺動性・耐磨耗性・耐食性・耐電圧特性・密着力に優れた保護膜を有することで、磁気記録媒体とのギャップを狭くし、超高密度磁気記憶装置に対応できるヘッドスライダーを提供する。【解決手段】 媒体に対向する表面に高純度・高硬度炭素膜を有し、且つスライダー基板あるいはバッファ層との密着力を安定保持するために、水素を含有する非晶質炭素膜を更に設けるハイブリッド炭素被膜構造を有するヘッドスライダーを用いる。
Claim (excerpt):
少なくとも基板の空気浮上面上に保護膜を有するヘッドスライダーであって、前記基板は酸化物もしくはシリコンカーバイドで構成され、前記保護膜は摺動性を向上させるために、媒体に対向する表面にSP3結合を70%以上有する炭素純度95atm%以上の高硬質非晶質炭素被膜を有し、前記高硬質非晶質炭素被膜と前記基板あるいはバッファ層を被覆した前記基板との間に5〜50atm%の水素を含有する水素添加非晶質炭素膜を設けることを特徴とするヘッドスライダー。
IPC (2):
G11B 5/60 ,  G11B 21/21 101
FI (2):
G11B 5/60 B ,  G11B 21/21 101 K
F-Term (5):
5D042NA02 ,  5D042PA01 ,  5D042PA05 ,  5D042SA02 ,  5D042SA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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