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J-GLOBAL ID：200903003214898378

フラッシュ・メモリ

Inventor： 山田 重和
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 平戸 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207102
Publication number (International publication number)：1996077784
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】フラッシュ・メモリに関し、消去ベリファイの回数を減らし、消去に要する時間を短くする。【構成】消去時、メモリセルのソースに流れ込む消去電流IAの電流値が参照電流IBの電流値以下になったと判断されるまでは消去ベリファイを行わず、メモリセルのソースに対する消去電圧の印加を繰り返して行い、メモリセルのソースに流れ込む消去電流IAの電流値が参照電流IBの電流値以下になったと判断される場合には、メモリセルのソースに対する消去パルスの印加と、消去ベリファイとを繰り返して行う。

Claim (excerpt)：

消去モード時、消去が一定程度進行するまでは、消去ベリファイを行わず、メモリセルのソースに対する消去電圧の印加を繰り返して行い、消去が一定程度進行した後は、前記メモリセルのソースに対する消去電圧の印加と、消去ベリファイとを繰り返して行うように、消去動作及び消去ベリファイ動作を制御する制御回路を備えて構成されていることを特徴とするフラッシュ・メモリ。

IPC (2)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-166070   Applicant：三菱電機株式会社