窒化物半導体レーザ素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001086923
Publication number (International publication number)：2001308435
Application date： Sep. 24, 1996
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【目的】劈開の難しい基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、基板水平方向に対してビーム中心の出射方向が水平なレーザビームが得られる。【構成】基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、さらに前記共振面から出射されるレーザ光が、共振面よりも突出した基板を含む部分に遮られないようにされているので、レーザ光が突出部で反射、透過されない。

Claim (excerpt)：

基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、その共振面と基板分割面との間にエッチングにより形成された面を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/02 , H01S 5/10

FI (2)：

H01S 5/02 , H01S 5/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開昭63-019891
半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039443 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-255285

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Cited by examiner (10)

特開昭63-019891
半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039443 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-255285

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