窒化物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995003033
Publication number (International publication number)：1996191171
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体を用いてレーザ素子を実現するにあたり、まず反射鏡となる適切な光共振面を形成することにより、レーザ発振が可能となるレーザ素子を提供する。【構成】基板上に窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されてなるレーザ素子であって、そのレーザ素子の光共振面の少なくとも一方に誘電体多層膜が形成されていることにより、光共振面の反射率を高めレーザ発振させる。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されてなるレーザ素子であって、そのレーザ素子の光共振面の少なくとも一方に誘電体多層膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042126 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-092403 Applicant：日亜化学工業株式会社

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