III族窒化物緩衝層を有するIII族窒化物エピタキシャル層の一段ペンデオエピタキシャルオーバーグロース及び一段横方向エピタキシャルオーバーグロース

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001530903
Publication number (International publication number)：2003511871
Application date： Oct. 11, 2000
Publication date： Mar. 25, 2003
Summary：

【要約】基板上において窒化ガリウム系半導体構造を作製する方法が、直接に基板上において、その中に少なくとも1つの開口部を有するマスクを形成する工程、該開口部を通過させて緩衝層を成長させる工程、及び該緩衝層から上方に且つ該マスクを覆って横方向に窒化ガリウム層を成長させる工程を含む。マスクからの窒化ガリウムの成長中、窒化ガリウム層の垂直方向及び水平方向の成長速度は、該マスク上で核形成する多結晶質材料が窒化ガリウム層の横方向成長を妨害しない充分な速度に維持される。別の態様では、本発明の方法は、基板において隣接トレンチを画定する少なくとも1つの凸部を形成する工程、及び凸部の上表面を覆う少なくとも1つの開口部を有するマスクを基板上で形成する工程を含む。緩衝層は、凸部の上表面から成長させることができる。次に、窒化ガリウム層を、トレンチを覆うペンデオエピタキシーによって横方向に成長させる。

Claim (excerpt)：

以下の工程:すなわち、基板上に開口部を有するマスクを形成する工程; 窒化ガリウム及び窒化ガリウムのIII族窒化物合金から成る群より選択されるエピタキシャル層を、該開口部から垂直方向に且つ該マスクを横断させて横方向に成長させる工程;及び該マスク上で核形成する多結晶質窒化物材料が該エピタキシャル層の横方向成長を妨害しない充分な速度に、該エピタキシャル層の横方向成長速度を維持する工程を含む、該基板上に窒化ガリウム系半導体構造を作製する方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 21/20

F-Term (18)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DB01 , 5F052JA07 , 5F052KA01 , 5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-080410 Applicant：ソニー株式会社
GaN系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-307677 Applicant：三菱電線工業株式会社
GaN系半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-064360 Applicant：豊田合成株式会社

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