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J-GLOBAL ID：200903003416761943

半導体装置及びチップキャリア

Inventor：
河村 浩充

About 河村 浩充


Applicant, Patent owner：
富士通カンタムデバイス株式会社

About 富士通カンタムデバイス株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001028881
Publication number (International publication number)：2002231862
Application date： Feb. 05, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】レーザチップ等の温度制御に使用されるサーミスタ素子を有する半導体装置に関し、レーザチップ等の温度制御を長期的に且つ高精度に制御すること。【解決手段】キャリア基体1と、キャリア基体1上に直に形成された温度感知抵抗体膜6、記キャリア基体上に形成されて温度感知抵抗体膜6の両端に接続される第1及び第2の導電パターン4,5と、キャリア基体1上に形成され且つ半導体チップ搭載領域3とを含む。
Claim (excerpt)：
【請求項1 】キャリア基体と、前記キャリア基体に被着された温度感知抵抗体と、前記キャリア基体に設けられた半導体素子の搭載部と、前記搭載部に搭載された半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/34 ,  H01S 5/024
FI (2)：
H01L 23/34 D ,  H01S 5/024
F-Term (11)：
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD13 ,  5F036BF01 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA25 ,  5F073FA27 ,  5F073GA14 ,  5F073GA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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