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J-GLOBAL ID:200903003464526450
集積回路の実装構造
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000386923
Publication number (International publication number):2002190701
Application date: Dec. 20, 2000
Publication date: Jul. 05, 2002
Summary:
【要約】【課題】 コプレーナ線路の伝送損を低減させること。【解決手段】 コプレーナ線路(信号線111、グランド線112及び113)を形成した半導体基板110を実装するための実装基板100が、裏面に接地導体板104を有する際に、半導体基板110と実装基板100の間隙に誘電体150を充填する。この誘電体150の比誘電率が半導体基板110の比誘電率と実装基板100の比誘電率の中間の値であるならば、半導体基板110に形成したコプレーナ線路における伝送損を低減できる。
Claim (excerpt):
コプレーナ線路を形成した、比誘電率がεICの誘電体に形成された集積回路を、裏面に導体のグランドが配設された比誘電率がεSUBの誘電体基板上にフリップチップ的に実装する実装構造において、前記集積回路のコプレーナ線路を形成した面と前記誘電体基板表面との間隙に比誘電率εRESの誘電体、ただしεIC>εRES>εSUBである、を充填したことを特徴とする集積回路の実装構造。
IPC (5):
H01P 3/02
, H01L 23/12 301
, H01L 23/14
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (4):
H01P 3/02
, H01L 23/12 301 L
, H01L 23/14 R
, H01L 23/30 R
F-Term (6):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA03
, 4M109EA02
, 4M109EA11
, 4M109EC07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-101051
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体モジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-053947
Applicant:株式会社東芝
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誘電体基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-081597
Applicant:ジャパンゴアテックス株式会社
-
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-089666
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
樹脂封止型半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-078058
Applicant:株式会社東芝
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