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J-GLOBAL ID：200903003466420063

半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体素子

Inventor： コウ ミン ジン ,  ナム ハイ ヨング ,  シン ドング セオック ,  ムーン ミュング スン ,  カング ジュング ウォン
Applicant, Patent owner： エルジー ケム インベストメント エルティーディー.
Agent (1)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001131769
Publication number (International publication number)：2002016057
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ナノメートル以下の大きさの気孔を含有する多孔性低誘電率層間絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、a)マトリックス樹脂と気孔形成有機分子との複合体を製造する段階;b)前記複合体を基板上にコーティングする段階;およびc)前記複合体を加熱して有機分子を除去することによって、複合体内部に気孔を形成する段階を有する半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

a)マトリックス樹脂と気孔形成有機分子との複合体を製造する段階、b)前記複合体を基板上にコーティングする段階、およびc)前記複合体を加熱して有機分子を除去することによって、複合体内部に気孔を形成する段階を有する半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/312 C ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

F-Term (19)：

4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038DL161 ,  4J038DL162 ,  4J038NA12 ,  4J038PB09 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 絶縁膜形成方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084133   Applicant：富士通株式会社
• 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-367061   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• アルキルヒドリドシロキサン樹脂からのナノ多孔質シリコーン樹脂の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-377614   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 低誘電率重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-018243   Applicant：東レ株式会社