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J-GLOBAL ID：200903023689996871

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

Inventor：
黒澤 孝彦

About 黒澤 孝彦

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林 英治

About 林 英治

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塩田 淳

About 塩田 淳

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山田 欣司

About 山田 欣司


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

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Agent (1)： 白井 重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999367061
Publication number (International publication number)：2001181506
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さい、低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性に優れる、膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)?@Ra Si(OR1 )4-a で表される化合物、?ASi(OR2 )4 で表される化合物、および?BR3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに、(B)沸点または分解温度が250〜450°Cである有機化合物、を含有する膜形成用組成物。
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物、および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびにRa Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)成分;沸点または分解温度が250〜450°Cである有機化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (2)：
C08L 83/04 ,  C09D183/04
FI (2)：
C08L 83/04 ,  C09D183/04
F-Term (37)：
4J002BG052 ,  4J002BG062 ,  4J002BG132 ,  4J002CF032 ,  4J002CF092 ,  4J002CG012 ,  4J002CG042 ,  4J002CH012 ,  4J002CP021 ,  4J002CP031 ,  4J002CP081 ,  4J002CP181 ,  4J002CQ032 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J038CG002 ,  4J038CH122 ,  4J038CH142 ,  4J038CH152 ,  4J038CH192 ,  4J038DD002 ,  4J038DE002 ,  4J038DF002 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA04 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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