Pat
J-GLOBAL ID：200903003471616880

ダイヤモンド薄膜積層体

Inventor：
徳田 規夫

About 徳田 規夫

, 
梅澤 仁

About 梅澤 仁

, 
山崎 聡

About 山崎 聡


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007223341
Publication number (International publication number)：2009059739
Application date： Aug. 30, 2007
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：
【課題】通常、ホモエピタキシャル成長させたダイヤモンド膜表面上に異常成長粒子や成長丘等が103 cm-2以上形成される。これらは表面の平坦性を劣化させるだけではなく、その基板上に作製したデバイス特性を劣化させる。そのため、異常成長粒子や成長丘等が103 cm-2以下の平坦面を有するダイヤモンド膜が成長可能な基板を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/04 ,  C23C 16/27
FI (3)：
H01L21/205 ,  C30B29/04 E ,  C23C16/27
F-Term (37)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TB07 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045DA60
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM