シリコン薄膜の形成方法及びシリコン薄膜の形成装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋詔男 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997339130
Publication number (International publication number)：1999176752
Application date： Dec. 09, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコンの気化を抑制することにより、光透過窓の透過率の低下を防いで、再現性の高いシリコン薄膜の形成方法を提供し、また、製造コスト及び装置維持コストの低減が可能なシリコン薄膜の形成装置を提供する。【解決手段】非晶質シリコン薄膜111aが表面に形成された基板111を収納する密閉容器105と、非晶質シリコン薄膜111aに照射されて非晶質シリコン薄膜111aを所定の熱処理温度まで加熱するための光103を発振する光源101と、密閉容器105に設けられ、光源101からの光103を透過して密閉容器105内に導入するための光透過窓106と、密閉容器105の圧力が、熱処理温度におけるシリコン蒸気圧よりも高くなるように密閉容器105の圧力を制御する制御手段122とを具備することを特徴とするシリコン薄膜の形成装置121を採用する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された非晶質シリコン薄膜に光を照射して、前期非晶質シリコン薄膜を所定の熱処理温度まで加熱して結晶質シリコン薄膜を得るシリコン薄膜の形成方法において、前記光の照射が前記熱処理温度におけるシリコンの蒸気圧よりも高い圧力の雰囲気中で行なうことを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/26 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-174206 Applicant：ソニー株式会社
ポリシリコン膜の形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-064771 Applicant：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-300179 Applicant：日本電気株式会社

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