Pat
J-GLOBAL ID：200903003523301289

発光ダイオード

Inventor：
キム、ファ モク

About キム、ファ モク

, 
キム、デ ウォン

About キム、デ ウォン

, 
カル、デ ソン

About カル、デ ソン


Applicant, Patent owner：
ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド

About ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド


Agent (4)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008196779
Publication number (International publication number)：2009111342
Application date： Jul. 30, 2008
Publication date： May. 21, 2009
Summary：
【課題】 p型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるDBR(Distributed Bragg Reflector)を備える発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 n型半導体層、活性層、p型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。開示された発光ダイオードは、p型半導体層と透明電極層との間に介在されるトンネル層と、前記トンネル層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、前記開口部内に形成されるDBRと、前記開口部内のDBRを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、を備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
n型半導体層、活性層、p型半導体層、及び透明電極層を含む発光ダイオードであって、 前記p型半導体層と前記透明電極層との間に介在されるトンネル層と、 前記トンネル層又はそのトンネル層の下方のp型半導体層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、 前記開口部内に形成されるDBR(Distributed Bragg Reflector)と、 前記開口部内のDBRを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、 を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (9)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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