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J-GLOBAL ID:200903003523301289
発光ダイオード
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
恩田 博宣
, 恩田 誠
, 本田 淳
, 池上 美穂
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008196779
Publication number (International publication number):2009111342
Application date: Jul. 30, 2008
Publication date: May. 21, 2009
Summary:
【課題】 p型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるDBR(Distributed Bragg Reflector)を備える発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 n型半導体層、活性層、p型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。開示された発光ダイオードは、p型半導体層と透明電極層との間に介在されるトンネル層と、前記トンネル層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、前記開口部内に形成されるDBRと、前記開口部内のDBRを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、を備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
n型半導体層、活性層、p型半導体層、及び透明電極層を含む発光ダイオードであって、
前記p型半導体層と前記透明電極層との間に介在されるトンネル層と、
前記トンネル層又はそのトンネル層の下方のp型半導体層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、
前記開口部内に形成されるDBR(Distributed Bragg Reflector)と、
前記開口部内のDBRを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1):
FI (2):
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
F-Term (9):
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-316034
Applicant:三星電機株式会社
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-184533
Applicant:株式会社東芝
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窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子を備えたフリップチップ構造の発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-053462
Applicant:三星電機株式会社
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-365365
Applicant:シャープ株式会社
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-173110
Applicant:日立電線株式会社
-
窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-344169
Applicant:ローム株式会社
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