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J-GLOBAL ID:200903099569730360
半導体発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
日向寺 雅彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005184533
Publication number (International publication number):2007005591
Application date: Jun. 24, 2005
Publication date: Jan. 11, 2007
Summary:
【課題】 外部光取り出し効率が改善された半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光層314を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体のうちの第1の半導体層310とオーミックコンタクトを形成する第1の電極330と、前記半導体多層構造体のうちの第2の半導体層320とオーミックコンタクトを形成する第2の電極340と、前記第2の電極に隣接して設けられ、前記発光層からの放射光の少なくとも一部を反射する光反射器350と、を備え、前記第2の電極は、前記第2の半導体層を伝播する前記発光層からの放射光の媒質内波長の1/2以下である幅の複数の領域を有することを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
発光層と第1及び第2の半導体層とを含む半導体多層構造体と、
前記半導体多層構造体のうちの前記第1の半導体層とオーミックコンタクトを形成する第1の電極と、
前記半導体多層構造体のうちの前記第2の半導体層とオーミックコンタクトを形成する第2の電極と、
前記第2の電極に隣接して設けられ、前記発光層からの放射光の少なくとも一部を反射する光反射器と、
を備え、
前記第2の電極は、前記第2の半導体層を伝播する前記発光層からの放射光の媒質内波長の1/2以下である幅の複数の領域を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (7):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA93
, 5F041CB15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-256593
Applicant:豊田合成株式会社
Cited by examiner (6)
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発光素子の製造方法及び発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-137052
Applicant:信越半導体株式会社
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半導体受光素子、半導体受光装置及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-084307
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-179591
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-256593
Applicant:豊田合成株式会社
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-202749
Applicant:日本ビクター株式会社
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光モジュール及び光源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-146109
Applicant:ミノルタ株式会社
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