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J-GLOBAL ID：200903099569730360

半導体発光素子

Inventor：
酒井 隆行

About 酒井 隆行


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005184533
Publication number (International publication number)：2007005591
Application date： Jun. 24, 2005
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：
【課題】 外部光取り出し効率が改善された半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光層314を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体のうちの第1の半導体層310とオーミックコンタクトを形成する第1の電極330と、前記半導体多層構造体のうちの第2の半導体層320とオーミックコンタクトを形成する第2の電極340と、前記第2の電極に隣接して設けられ、前記発光層からの放射光の少なくとも一部を反射する光反射器350と、を備え、前記第2の電極は、前記第2の半導体層を伝播する前記発光層からの放射光の媒質内波長の1/2以下である幅の複数の領域を有することを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
発光層と第1及び第2の半導体層とを含む半導体多層構造体と、 前記半導体多層構造体のうちの前記第1の半導体層とオーミックコンタクトを形成する第1の電極と、 前記半導体多層構造体のうちの前記第2の半導体層とオーミックコンタクトを形成する第2の電極と、 前記第2の電極に隣接して設けられ、前記発光層からの放射光の少なくとも一部を反射する光反射器と、 を備え、 前記第2の電極は、前記第2の半導体層を伝播する前記発光層からの放射光の媒質内波長の1/2以下である幅の複数の領域を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 E
F-Term (7)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-256593   Applicant：豊田合成株式会社
Cited by examiner (6)
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