プラズマ生成装置と処理システム

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007151653
Publication number (International publication number)：2008071739
Application date： Jun. 07, 2007
Publication date： Mar. 27, 2008
Summary：

【課題】電極無損耗の処理システムとプラズマ生成装置を提供する。【解決手段】処理システムは、第一流体を利用し、被処理物体に対し処理を実行する。処理システムはベースとプラズマ生成装置を有する。ベースは被処理物体を載置する。プラズマ生成装置は第一流体をイオン化する。プラズマ生成装置は少なくとも一つの導引素子と少なくとも一つの電極素子を有する。導引素子は経路を有し、第一流体は経路に沿って第一位置と第二位置を順に通過する。電極素子は第一電極と第二電極を有し、第一電極は第一位置に対応し、第二電極は第二位置に対応する。第一電極、第二電極は第一位置と第二位置の間の第一流体を励起して第二流体を生成し、第二流体はベース上の物体に対し表面処理、活性化、洗浄、フォトレジスト灰化、あるいは、エッチング処理を実行する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第一流体をイオン化するためのプラズマ生成装置であって、該プラズマ生成装置は、経路を有し、前記第一流体が前記経路に沿って第一位置と第二位置を順に通過する少なくとも一つの導引素子と、第一電極と第二電極を有し、前記第一電極は前記第一位置に対応し、前記第二電極は前記第二位置に対応し、前記第一電極、前記第二電極は、前記第一位置と前記第二位置間の前記第一流体を励起して第二流体を生成する少なくとも一つの電極素子と、からなり、前記第一流体のエネルギー状態は前記第二流体のエネルギー状態と異なることを特徴とするプラズマ生成装置。

IPC (3)：

H05H 1/24 , H01L 21/306 , H01L 21/304

FI (3)：

H05H1/24 , H01L21/302 101E , H01L21/304 645C

F-Term (17)：

5F004BA03 , 5F004BA06 , 5F004BB13 , 5F004BD01 , 5F157AA21 , 5F157AA81 , 5F157BG33 , 5F157BG34 , 5F157BG36 , 5F157BG37 , 5F157BG39 , 5F157BG72 , 5F157CE66 , 5F157CF46 , 5F157CF48 , 5F157CF72 , 5F157DA43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プリント配線板の処理方法及びプリント配線板の処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-171105 Applicant：松下電工株式会社
表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-301763 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-038689 Applicant：富士通株式会社

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