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J-GLOBAL ID:200903003566058779
成膜方法および記憶媒体
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004367789
Publication number (International publication number):2006169617
Application date: Dec. 20, 2004
Publication date: Jun. 29, 2006
Summary:
【課題】 プラズマ励起を要する成膜方法において、清浄で安定な成膜を実現する。【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に成膜のための処理ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマを励起するための高周波電力が印加されるシャワーヘッド部と、を有する成膜装置による成膜方法であって、前記被処理基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程の前に前記シャワーヘッド部に別の金属を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、
高周波電力が印加可能に構成された、前記処理容器内に成膜ガスまたは当該成膜ガスを還元する還元ガスを供給するガス供給部と、を備えた成膜装置による成膜方法であって、
前記処理容器内に金属元素とハロゲン元素を含む前記成膜ガスを供給する第1の工程と、
前記処理容器内に前記還元ガスを供給する第2の工程と、
前記ガス供給部に高周波電力を印加して前記処理容器内にプラズマを励起し、前記被処理基板上に成膜を行う第3の工程と、を有し、
前記第3の工程で活性化される前記ハロゲン元素のエッチングから、前記ガス供給部を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに設けたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3):
C23C 16/08
, H01L 21/28
, H01L 21/285
FI (3):
C23C16/08
, H01L21/28 301R
, H01L21/285 C
F-Term (33):
4K030AA02
, 4K030AA03
, 4K030AA04
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA17
, 4K030BA18
, 4K030BA20
, 4K030BA27
, 4K030BA29
, 4K030BA37
, 4K030BA38
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA06
, 4K030EA05
, 4K030EA11
, 4K030FA03
, 4K030KA22
, 4K030KA41
, 4K030KA47
, 4K030LA15
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB36
, 4M104DD43
, 4M104DD44
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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USP 5916365号公報
-
USP 5306666号公報
-
USP 6416822号公報
-
WO00/79756号公報
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Cited by examiner (6)
-
クリーニング装置を備えたALD薄膜蒸着装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-213702
Applicant:アイピーエスリミテッド
-
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-074125
Applicant:株式会社東芝
-
プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-320914
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
半導体ウエハの成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-235234
Applicant:ソニー株式会社
-
プラズマCVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-308993
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体製造装置用ガスシャワー体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-160722
Applicant:住友電気工業株式会社
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Article cited by the Patent:
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