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J-GLOBAL ID：200903092509476460

半導体製造装置用ガスシャワー体

Inventor：
柊平 啓

About 柊平 啓

, 
仲田 博彦

About 仲田 博彦


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000160722
Publication number (International publication number)：2001274103
Application date： May. 30, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体製造装置の内部における反応を均一にすることができ、貫通孔の閉塞やパーティクルの発生を抑制することができるように反応ガスを予備加熱して通過する機能を備えたガスシャワー体を提供することである。【解決手段】 ガスシャワー体1は、基材の厚みが5mm以下であり、複数の貫通孔11を有する窒化アルミニウム焼結体基材10と、窒化アルミニウム焼結体基材10に形成された導電層としてヒータ回路パターン12またはプラズマ上部電極14とを備える。
Claim (excerpt)：
基材の厚みが5mm以下の半導体製造装置用ガスシャワー体であって、複数の貫通孔を有するセラミックス焼結体基材と、前記セラミックス焼結体基材に形成された導電層とを備えた、半導体製造装置用ガスシャワー体。
IPC (8)：
H01L 21/205 ,  C04B 37/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/584 ,  C04B 35/581 ,  C04B 35/58 301
FI (8)：
H01L 21/205 ,  C04B 37/00 Z ,  H01L 21/285 C ,  C04B 35/58 301 ,  H01L 21/302 C ,  C04B 35/10 Z ,  C04B 35/58 102 Y ,  C04B 35/58 104 Y
F-Term (45)：
4G001BA07 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB03 ,  4G001BB32 ,  4G001BB36 ,  4G001BB51 ,  4G001BC22 ,  4G001BC52 ,  4G001BC56 ,  4G026BA03 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BA19 ,  4G026BB03 ,  4G026BB16 ,  4G026BB17 ,  4G026BB19 ,  4G026BF04 ,  4G026BG04 ,  4G026BG05 ,  4G026BH13 ,  4G030AA36 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030BA02 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EE07 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11 ,  5F045EH05 ,  5F045EK21 ,  5F045EM05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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