樹脂封止型半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995095256
Publication number (International publication number)：1996288428
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止工程における半導体素子のシフトの防止と、低熱抵抗化を実現する。【構成】樹脂封止型半導体装置のパッケージのリードフレーム1より下の部分をあらかじめ高熱伝導性樹脂2によりキャビティを有する成形体を成形し、このキャビティにダイパッド4を固着して半導体素子3を搭載後、熱硬化性樹脂6により樹脂封止することにより、樹脂封止工程における半導体素子3のシフトを防止し、パッケージ下部の高熱伝導性樹脂2により樹脂封止型半導体装置の低熱抵抗化を実現することができる。

Claim (excerpt)：

キャビティが成形された高熱伝導性樹脂と、前記キャビティ内に固着されたダイパッドと、このダイパッド上に接着された半導体素子と、前記キャビティが成形された高熱伝導性樹脂の上部に貼付されたリードフレームと、このリードフレームと前記半導体素子を接続するボンディングワイヤと、前記キャビティが成形された高熱伝導性樹脂の上部で前記半導体素子と前記ボンディングワイヤと前記リードフレームを封止する熱硬化樹脂とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (7)：

H01L 23/28 , B29C 45/02 , B29C 45/26 , H01L 21/56 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , B29L 31:34

FI (5)：

H01L 23/28 K , B29C 45/02 , B29C 45/26 , H01L 21/56 T , H01L 23/30 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭54-055172
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052617 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平4-348550

Show all

Return to Previous Page