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J-GLOBAL ID：200903003605587172

減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法

Inventor： 宮崎 順二 ,  中江 彰宏 ,  吉岡 信行 ,  小沢 英彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994066934
Publication number (International publication number)：1995281413
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 減衰型位相シフトマスクの光透過部の周囲に生じる強い光強度領域(サイドローブ像)の発生を防止するパターンを有する減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法を提供することにある。【構成】 光透過部20の周囲の近傍の位相シフタ部10の所定の領域に、この領域に対応する被露光材への露光光の露光量を調整するための補助パターン30が設けられている。この補助パターン30により、サイドローブ像の光強度を打ち消すことが可能となる。

Claim (excerpt)：

フォトマスク基板の上の所定の位置に形成され、透過する露光光の位相と透過率とを制御する第1光透過部と、前記第1光透過部に周囲を取囲まれ、前記フォトマスク基板の表面が露出する第2光透過部と、を備え、前記第2光透過部の周囲の近傍の前記第1光透過部の所定の領域に、この領域に対応する被露光材への前記露光光の露光量を制御するための補助パターンを有する、減衰型位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ホトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-084293   Applicant：株式会社日立製作所
• ホールパタン形成用マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082756   Applicant：日本電信電話株式会社
• 位相シフト露光マスクの形成方法、位相シフト露光マスク、及び位相シフト露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-123317   Applicant：ソニー株式会社