半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000375610
Publication number (International publication number)：2002184973
Application date： Dec. 11, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリコン酸化物より比誘電率の高い絶縁膜をゲート絶縁膜とし、高速で作動し、短チャネル特性と駆動電流に優れ、金属元素のシリコン基板中への導入の少ない半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板上に、比誘電率がシリコン酸化膜より高い絶縁膜であるチタン酸化膜103をゲート絶縁膜として設け、この上にゲート電極104を配置し電界効果トランジスタとし、このチタン酸化膜103のゲート長方向の端部を、ゲート電極104のソース側、ドレイン側の端部より内側に位置させ、かつ、このチタン酸化膜103の端部を、ゲート電極104と、ソース領域及びドレイン領域107とが平面的にオーバーラップする領域に位置させるようにした半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置された電界効果トランジスタを有する半導体装置において、上記ゲート絶縁膜は、比誘電率がシリコン酸化膜より高い絶縁膜であり、上記ゲート絶縁膜のゲート長方向の端部は、上記ゲート電極のソース側、ドレイン側の端部より内側に位置し、かつ、上記ゲート絶縁膜の上記端部は、上記ゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域とが平面的にオーバーラップする領域に位置していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C

F-Term (30)：

5F040DA01 , 5F040DA02 , 5F040DA06 , 5F040DA17 , 5F040DA19 , 5F040DB01 , 5F040DB03 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC09 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED09 , 5F040EF01 , 5F040EK05 , 5F040FB04 , 5F040FC10 , 5F040FC13 , 5F040FC19 , 5F040FC22 , 5F040FC23 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BG01 , 5F048BG13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-307271
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000190 Applicant：富士通株式会社
高誘電率シリケート・ゲート誘電体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242453 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

MOSCAP and MOSFET characteristics using ZrO2 gate dielectric deposited directly on Si

Return to Previous Page