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J-GLOBAL ID：200903003720904939

固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法

Inventor：
滝澤 律夫

About 滝澤 律夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003128582
Publication number (International publication number)：2004335674
Application date： May. 07, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
【課題】入射光によってシリコン基板の表面で発生した電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部またはチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域へ漏れ込むことによって発生する成分がスミア成分として支配的となる。【解決手段】受光部20と隣りの受光部の垂直電荷転送部30との間に、当該垂直電荷転送部30の転送方向に沿ってチャネルストップ部50を形成してなるCCD固体撮像素子において、チャネルストップ部50の内部にゲッター部60を形成することにより、入射光によって半導体基板の表面で発生し、基板表面に沿って横方向に拡散して読み出し側と反対側のチャネルストップ部50に入る電子をゲッター部60によって捕獲し、転送チャネル領域31に漏れ込むのを確実に抑制する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
入射光を光電変換する受光部と、 前記受光部から読み出される信号電荷を転送する電荷転送部と、 前記受光部と隣りの受光部の電荷転送部との間に設けられたチャネルストップ部と、 前記チャネルストップ部内に形成されたゲッター部と を備えたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3)：
H01L27/148 ,  H01L21/322 ,  H04N5/335
FI (4)：
H01L27/14 B ,  H01L21/322 J ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 U
F-Term (18)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA23 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  5C024CX13 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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