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J-GLOBAL ID:200903003822453222

ポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法及び表面改質した無機薄膜形成用ポリイミド樹脂の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003273062
Publication number (International publication number):2005029735
Application date: Jul. 10, 2003
Publication date: Feb. 03, 2005
Summary:
【課題】 無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 (1)ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性アルコール水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂表面の一部を溶解して凹部を形成すると共に、凹部近傍のポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程。(2)前記カルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。(3)前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成するにあたって、(1)ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性アルコール水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂表面の一部を溶解して凹部を形成すると共に、凹部近傍のポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程、(2)前記カルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程、(3)前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程、とを有することを特徴とするポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法。
IPC (7):
C08J7/04 ,  C08J7/12 ,  C23C18/16 ,  C23C18/20 ,  C23C18/28 ,  C23C18/38 ,  H05K3/18
FI (7):
C08J7/04 A ,  C08J7/12 B ,  C23C18/16 A ,  C23C18/20 A ,  C23C18/28 ,  C23C18/38 ,  H05K3/18 B
F-Term (50):
4F006AA39 ,  4F006AB64 ,  4F006AB68 ,  4F006AB73 ,  4F006AB74 ,  4F006BA06 ,  4F006BA07 ,  4F006BA08 ,  4F006CA08 ,  4F006DA03 ,  4F006DA04 ,  4F006EA01 ,  4F073AA04 ,  4F073AA27 ,  4F073AA28 ,  4F073BA31 ,  4F073BB01 ,  4F073EA01 ,  4F073EA21 ,  4F073EA41 ,  4F073EA42 ,  4F073EA54 ,  4F073EA55 ,  4F073EA57 ,  4F073EA60 ,  4F073EA62 ,  4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA12 ,  4K022CA19 ,  4K022DA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343BB06 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343CC32 ,  5E343CC52 ,  5E343CC54 ,  5E343CC71 ,  5E343DD12 ,  5E343DD33 ,  5E343EE37 ,  5E343EE39 ,  5E343ER04 ,  5E343GG01 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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