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J-GLOBAL ID：200903003839140155

窒化物半導体発光素子

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998345022
Publication number (International publication number)：2000174392
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【目的】 従来の素子において、面内で結晶性の不均一が発生する問題を解決し、素子信頼性の向上を目的とする。【構成】 異種基板と発光層との間に、異種基板上に成長された第1の窒化物半導体層2と、前記第1の窒化物半導体層表面に部分的に形成された保護膜11と、前記保護膜を介して前記第1の窒化物半導体層2の表面に成長された選択成長層3と、その上に多結晶を含む第2のバッファ層4とを順に有することで、斜線部で示すような結晶性の面内不均一が解消される。このため、その上に積層される各層も結晶性が良好なものとなる。更に、第2のバッファ層4の上に成長させた窒化物半導体5が、AlGaNであっても、良好な結晶が形成され、素子特性、素子信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
異種基板上に発光層を含む窒化物半導体層が積層されてなる発光素子であって、異種基板と発光層との間に、異種基板上に成長された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層表面に部分的に形成された保護膜と、前記保護膜を介して前記第1の窒化物半導体層表面に成長された選択成長層と、その上に多結晶を含む第2のバッファ層とを順に有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
F-Term (19)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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