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J-GLOBAL ID：200903046434239155

半導体素子

Inventor： 田中 素之 ,  曽我部 浩一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997119515
Publication number (International publication number)：1998074980
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 III-V族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII-V族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの混晶から選ばれた少なくとも1種のIII-V族窒化物単結晶膜12、14、15が、窒化アルミニウム単結晶基板11上に直接形成されるか、又は少なくとも1種のIII-V族窒化物の低温成長バッファー層13を介して形成されている半導体素子であり、連続発振が可能な短波長の発光素子や高温で動作するダイオード等として有用である。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム単結晶基板と、該基板上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも1種のIII-V族窒化物の単結晶膜とを備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253784   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭48-076478
  
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
• GaN堆積ウエーハ及び光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-342456   Applicant：富士通株式会社