高エネルギー粒子の発生方法およびこれを利用した放射化分析方法と、高エネルギー粒子発生装置および放射化分析装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：村瀬一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000295211
Publication number (International publication number)：2002107499
Application date： Sep. 27, 2000
Publication date： Apr. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】設備装置類の小型化、低コスト化を図る。取り扱いを簡便なものにする。【解決手段】ターゲット12と、瞬間的な照射でターゲット12の電離が可能なエネルギーのレーザ光線13をターゲット12に瞬間的に照射して高エネルギー粒子14を発生させるレーザ光線照射手段15を備えて高エネルギー粒子発生装置11を構成する。この高エネルギー粒子発生装置11と、当該高エネルギー粒子発生装置11によって発生させた高エネルギー粒子14の照射を受けた測定対象物16の変化を計測する計測手段17を備えて放射化分析装置を構成する。

Claim (excerpt)：

瞬間的な照射でターゲットの電離が可能なエネルギーのレーザ光線を前記ターゲットに瞬間的に照射して高エネルギー粒子を発生させることを特徴とする高エネルギー粒子の発生方法。

IPC (4)：

G21K 5/00 , G01N 23/221 , G21K 1/00 , G21K 5/08

FI (7)：

G21K 5/00 M , G01N 23/221 , G21K 1/00 A , G21K 1/00 E , G21K 5/08 N , G21K 5/08 X , G21K 5/08 Z

F-Term (13)：

2G001AA01 , 2G001AA03 , 2G001AA05 , 2G001AA07 , 2G001AA09 , 2G001CA02 , 2G001CA03 , 2G001CA04 , 2G001CA05 , 2G001GA01 , 2G001JA14 , 2G001KA01 , 2G001MA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

X線発生用ターゲット、X線発生装置及びX線発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-187301 Applicant：日本電信電話株式会社
レーザアブレーション型イオン源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-287956 Applicant：工業技術院長
レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-155582 Applicant：株式会社日立製作所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

2000年春季第47回応用物理学関係連合講演会における発表文書, 20000328

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