レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338846
Publication number (International publication number)：2001156018
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】非単結晶半導体膜のアニール工程には、エキシマレーザがよく用いられる。YAGレーザはエキシマレーザに比べてレーザ本体の保守点検が容易であり、これが代替え品となればコストの低減ができる。しかしながら、YAGレーザは比較的干渉しやすいレーザビームであるため、単純にレーザビームを分割して合成するエネルギーの均一化の方法が使えない。【解決手段】YAGレーザは互いに異なる波長をもつ複数のレーザビームを同時に出すことができる。互いに波長の異なるレーザビームを非単結晶半導体膜の同一領域に同時に照射すれば、干渉の影響が抑えられ、より均一なレーザビームが得られる。たとえば、YAGレーザの第2、第3高調波を同時に発生させ、適当な光学系を用いて同一領域に照射すれば、非常に干渉が抑えられたエネルギーの均一性の高いレーザビームが得られる。

Claim (excerpt)：

照射面において断面形状が正方形または、長方形となるレーザビームを照射するレーザ照射装置であって、互いに波長の異なる複数のレーザビームを出すレーザ発振器と、照射面において、前記互いに波長の異なる複数のレーザビームのそれぞれの断面形状を正方形または長方形に加工し、かつ、エネルギー分布を均一化する光学系と、被照射物を配置するステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (4)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/268 J , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

F-Term (73)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA07 , 5F052BA18 , 5F052BB03 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA11 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052HA01 , 5F052JA04 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110GG55 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-221021 Applicant：三菱電機株式会社, セイコーエプソン株式会社
薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-108239 Applicant：日本電気株式会社
薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-339320 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (6)

レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-221021 Applicant：三菱電機株式会社, セイコーエプソン株式会社
薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-108239 Applicant：日本電気株式会社
薄膜半導体装置の製造方法
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