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J-GLOBAL ID：200903045268795358

レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法

Inventor：
田中 幸一郎

About 田中 幸一郎


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338846
Publication number (International publication number)：2001156018
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】非単結晶半導体膜のアニール工程には、エキシマレーザがよく用いられる。YAGレーザはエキシマレーザに比べてレーザ本体の保守点検が容易であり、これが代替え品となればコストの低減ができる。しかしながら、YAGレーザは比較的干渉しやすいレーザビームであるため、単純にレーザビームを分割して合成するエネルギーの均一化の方法が使えない。【解決手段】YAGレーザは互いに異なる波長をもつ複数のレーザビームを同時に出すことができる。互いに波長の異なるレーザビームを非単結晶半導体膜の同一領域に同時に照射すれば、干渉の影響が抑えられ、より均一なレーザビームが得られる。たとえば、YAGレーザの第2、第3高調波を同時に発生させ、適当な光学系を用いて同一領域に照射すれば、非常に干渉が抑えられたエネルギーの均一性の高いレーザビームが得られる。
Claim (excerpt)：
照射面において断面形状が正方形または、長方形となるレーザビームを照射するレーザ照射装置であって、互いに波長の異なる複数のレーザビームを出すレーザ発振器と、照射面において、前記互いに波長の異なる複数のレーザビームのそれぞれの断面形状を正方形または長方形に加工し、かつ、エネルギー分布を均一化する光学系と、被照射物を配置するステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
IPC (4)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (73)：
5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB03 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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