レーザアニール装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998178918
Publication number (International publication number)：2000012484
Application date： Jun. 25, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】簡単な構成のもとで品質に優れたアニーリングを行うことを可能にしたレーザアニール装置を得る。【解決手段】可視域に波長を有する第1のパルスレーザ光2を発生するパルスレーザ光源1と、第1のパルスレーザ光2が入射され、第1のパルスレーザ光2の一部を波長変換して、紫外域に波長を有する2倍高調波である第2のパルスレーザ光6を第1のパルスレーザ光2と同軸上に重畳させて出射する第2パルスレーザ光発生手段である非線形光学素子10とを備え、重畳された第1のパルスレーザ光2および第2のパルスレーザ光6を被照射物9に照射できるようにした。被照射物9上において、第1のパルスレーザ光の照射領域が第2のパルスレーザ光の照射領域を包含するようにレーザ光が照射される。

Claim (excerpt)：

可視域に波長を有する第1のパルスレーザ光を発生する第1パルスレーザ光発生手段と、上記第1のパルスレーザ光が入射され、上記第1のパルスレーザ光の一部を波長変換して、紫外域に波長を有する第2のパルスレーザ光を上記第1のパルスレーザ光と同軸上に重畳させて出射する第2パルスレーザ光発生手段とを備え、上記重畳された上記第1のパルスレーザ光および上記第2のパルスレーザ光を被照射物に照射できるようにしたレーザアニール装置。

IPC (3)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01S 3/00

FI (3)：

H01L 21/268 J , H01L 21/20 , H01S 3/00 A

F-Term (35)：

5F052AA02 , 5F052BA04 , 5F052BA07 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052EA16 , 5F072AB01 , 5F072AB15 , 5F072JJ01 , 5F072JJ02 , 5F072JJ05 , 5F072JJ12 , 5F072JJ20 , 5F072KK05 , 5F072KK06 , 5F072KK12 , 5F072KK13 , 5F072KK15 , 5F072KK24 , 5F072KK30 , 5F072MM03 , 5F072MM04 , 5F072MM08 , 5F072MM09 , 5F072PP07 , 5F072QQ02 , 5F072RR03 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072TT27 , 5F072YY06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

薄膜の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-096957 Applicant：ソニー株式会社
レーザーアニーリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-347875 Applicant：新日本製鐵株式会社
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-330914 Applicant：株式会社リコー

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