Pat
J-GLOBAL ID:200903095756300071

レーザアニール装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 曾我 道照 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998178918
Publication number (International publication number):2000012484
Application date: Jun. 25, 1998
Publication date: Jan. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 簡単な構成のもとで品質に優れたアニーリングを行うことを可能にしたレーザアニール装置を得る。【解決手段】 可視域に波長を有する第1のパルスレーザ光2を発生するパルスレーザ光源1と、第1のパルスレーザ光2が入射され、第1のパルスレーザ光2の一部を波長変換して、紫外域に波長を有する2倍高調波である第2のパルスレーザ光6を第1のパルスレーザ光2と同軸上に重畳させて出射する第2パルスレーザ光発生手段である非線形光学素子10とを備え、重畳された第1のパルスレーザ光2および第2のパルスレーザ光6を被照射物9に照射できるようにした。被照射物9上において、第1のパルスレーザ光の照射領域が第2のパルスレーザ光の照射領域を包含するようにレーザ光が照射される。
Claim (excerpt):
可視域に波長を有する第1のパルスレーザ光を発生する第1パルスレーザ光発生手段と、上記第1のパルスレーザ光が入射され、上記第1のパルスレーザ光の一部を波長変換して、紫外域に波長を有する第2のパルスレーザ光を上記第1のパルスレーザ光と同軸上に重畳させて出射する第2パルスレーザ光発生手段とを備え、上記重畳された上記第1のパルスレーザ光および上記第2のパルスレーザ光を被照射物に照射できるようにしたレーザアニール装置。
IPC (3):
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00
FI (3):
H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 A
F-Term (35):
5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BA18 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052EA16 ,  5F072AB01 ,  5F072AB15 ,  5F072JJ01 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ05 ,  5F072JJ12 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK05 ,  5F072KK06 ,  5F072KK12 ,  5F072KK13 ,  5F072KK15 ,  5F072KK24 ,  5F072KK30 ,  5F072MM03 ,  5F072MM04 ,  5F072MM08 ,  5F072MM09 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR03 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072TT27 ,  5F072YY06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page