半導体装置の作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000140816
Publication number (International publication number)：2001326174
Application date： May. 12, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】製造工程中TFTを構成する各被膜界面を汚染不純物に汚染されることなく清浄な状態に保ち、また、結晶質半導体膜に結晶破壊を起さずに不純物を添加する方法を提供する。【解決手段】搬送室107を中心にローダ室101、アンローダ室102、成膜等の複数の処理室103〜106を有する半導体作製装置を用いることにより各処理工程の間をクリーンルーム大気に曝すことなく処理することができ、TFTを構成する各被膜界面を清浄に保つことが可能となる。また、非晶質半導体膜に不純物を添加した後に結晶化を行うことで、結晶質半導体膜の結晶構造の破壊を防ぐ。

Claim (excerpt)：

下地膜を形成する第1の工程と、前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する第2の工程と、前記半導体膜表面に結晶化を助長する触媒元素を添加する第3の工程と、前記第3の工程を行った非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成する第4の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、前記第1乃至前記第4の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/304 647 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/304 647 Z , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 B

F-Term (95)：

2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA18 , 2H092MA25 , 2H092MA30 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 2H092PA10 , 2H092PA11 , 2H092PA12 , 2H092PA13 , 2H092RA05 , 5F052AA02 , 5F052CA02 , 5F052DA00 , 5F052DA02 , 5F052DA10 , 5F052DB03 , 5F052EA02 , 5F052EA11 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN32 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP38 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

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