レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996301251
Publication number (International publication number)：1997186085
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】非単結晶珪素膜をレーザーアニールする際の、結晶性、結晶の膜面内における均質性、レーザーエネルギーの利用効率を向上させ、薄膜トランジスタ等のデバイスに適した膜を得る。【解決手段】酸素を含有する雰囲気中にて、非単結晶珪素膜にレーザービームを照射して、レーザアニールを行う。特に、非単結晶珪素膜上面を酸化させて100Å以下の膜厚の酸化珪素膜を形成し、その状態でレーザーアニールを行う。また、非単結晶珪素膜上面を酸化する前に、自然酸化膜や不純物を取り除く洗浄工程を行う。このようにすることで、レーザーアニール後の結晶性珪素膜を、薄膜トランジスタ等のデバイスに適したものとすることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された非単結晶珪素膜を洗浄する第1の工程と、前記非単結晶珪素膜に対し、酸素を含有する雰囲気中でレーザーアニールする第2の工程とを有し、前記第1の工程と前記第2の工程は、大気に曝されずに連続して行われることを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124171 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-014222
自然酸化膜除去装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-057004 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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