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J-GLOBAL ID：200903003916914711

発光装置

Inventor：
瀬尾 哲史

About 瀬尾 哲史

, 
今井 馨太郎

About 今井 馨太郎


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002241318
Publication number (International publication number)：2003178882
Application date： Aug. 22, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発光素子において、陰極からの電子の注入性を向上させると共に製造プロセス上の問題を解決するための手段を提供する。【解決手段】 本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。これにより、陰極からの電子の注入性を向上させることができるだけでなく、これまで絶縁性の材料を用いて形成された陰極バッファー層に比べて、膜厚を厚くすることができるので、膜厚制御が容易になり、製造コストの低減および歩留まりの向上を実現させることができる。
Claim (excerpt)：
陽極、陰極、及び有機化合物層を有する発光装置であって、前記陽極と接して形成された前記有機化合物層と、前記有機化合物層及び前記陰極との間に形成された無機化合物からなる導電膜とを有し、前記導電膜は前記陰極よりも仕事関数が小さく、その導電率が1×10-10S/m以上の材料からなることを特徴とする発光装置。
IPC (4)：
H05B 33/22 ,  H01B 5/14 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (4)：
H05B 33/22 A ,  H01B 5/14 A ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z
F-Term (6)：
3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007AB12 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  5G307FB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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