Pat
J-GLOBAL ID：200903003920441216

プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
齋藤 光央

About 齋藤 光央

, 
奥村 智洋

About 奥村 智洋

, 
中山 一郎

About 中山 一郎


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 河宮 治 ,  和田 充夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003303353
Publication number (International publication number)：2004111948
Application date： Aug. 27, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】 簡単なプラズマ源で所望の任意形状をプラズマ処理できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力において、被処理物の近傍に配置させたプラズマ源にガスを供給しつつ、第1の電極に電力を供給するか又は第1の電極を接地電位とするか又は第1の電極を浮遊電位とするプラズマ処理方法であって、被処理物6を介してプラズマ源900と対向となる位置に配置されかつ電位制御した第2の電極7の被処理物と重なる面の面積を、プラズマ源の被処理物と重なる面の面積よりも小さくさせた状態で、被処理物の一部をプラズマ処理する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
大気圧近傍の圧力において、被処理物の近傍に配置させたプラズマ源にガスを供給しつつ、第1の電極に電力を供給するか又は第1の電極を接地電位とするか又は第1の電極を浮遊電位とするプラズマ処理方法であって、 上記被処理物を介して上記プラズマ源と対向となる位置に配置されかつ電位制御した第2の電極の上記被処理物と重なる面の面積を、上記プラズマ源の上記被処理物と重なる面の面積よりも小さくさせた状態で、上記第1及び第2の電極の少なくともいずれか一方に電力を供給しつつ、上記被処理物の一部をプラズマ処理するプラズマ処理方法。
IPC (5)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24
FI (5)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/31 C ,  H05H1/24
F-Term (38)：
4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DM06 ,  4K057DN01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM