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J-GLOBAL ID：200903059850363340

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
中村 康輔

About 中村 康輔

, 
北村 啓明

About 北村 啓明

, 
澤田 康志

About 澤田 康志


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000155549
Publication number (International publication number)：2001102199
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電界集中、火花放電、保護層の破壊、被処理物の熱的破損、不均一な放電の発生を防止することができ、また、保護層の耐久性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 対をなす電極2、3をチャンバー1内に設ける。チャンバー1内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に対をなす電極2、3の間に交流またはパルス状の電界を印加することにより電極2、3の間に大気圧近傍の圧力下で誘電体バリア放電を発生させる。この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで電極2、3の間に導入された被処理物4をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関する。対をなす電極2、3の少なくとも一方の表面にガラス質で熱融着により形成された保護層を設ける。ピンホールが極めて少ない保護層で電極2、3を保護することができる。
Claim (excerpt)：
対をなす電極をチャンバー内に設け、チャンバー内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に対をなす電極の間に交流またはパルス状の電界を印加することにより電極の間に大気圧近傍の圧力下で誘電体バリア放電を発生させ、この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで電極の間に導入された被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、対をなす電極の少なくとも一方の表面にガラス質で熱融着により形成された保護層を設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7)：
H05H 1/24 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (7)：
H05H 1/24 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
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Cited by examiner (15)
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