MOSFET

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003094973
Publication number (International publication number)：2004303948
Application date： Mar. 31, 2003
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【課題】実動作領域の周囲に設けられたガードリング上に電極が設けられていない部分では、ガードリング近傍で電荷の集中が起こりパターンが不均一になる。【解決手段】多数のMOSトランジスタのセル6を配列した実動作領域5と、実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域18と接続されたソース電極7と、該ソース電極と接続したソースパッド電極と、前記MOSトランジスタの各セルのゲート電極16と接続したゲートパッド電極1と、ソース領域18の周囲に設けられたガードリング22とよりなり、前記ガードリングのゲート電極が覆われていない部分にソース電極を拡張して覆われるようする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

多数のMOSトランジスタのセルを配列した実動作領域と、前記実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域と接続されたソース電極と、前記ソース電極と接続したソースパッド電極と、実動作領域の周囲に設けられたガードリングと、前記ガードリング上を部分的に覆うように設けられ、MOSトランジスタの各セルのゲート電極とゲートパッド電極とを接続するゲート連結電極よりなり、前記ソース電極を拡張して前記ガードリング上のゲート電極が覆われていない部分を前記ソース電極で覆われるようにしたことを特徴とするMOSFET。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (4)：

H01L29/78 652M , H01L29/78 652P , H01L29/78 652Q , H01L29/78 652S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-211625 Applicant：株式会社デンソー
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-330442 Applicant：新電元工業株式会社
特開平1-248564

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Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-211625 Applicant：株式会社デンソー
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-330442 Applicant：新電元工業株式会社
特開平1-248564

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