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J-GLOBAL ID：200903004527956529

電界効果型化合物半導体装置

Inventor：
吉川 俊英

About 吉川 俊英


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164908
Publication number (International publication number)：2002359256
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 電界効果型化合物半導体装置に関し、GaN系化合物半導体装置のオン耐圧を高めるとともに、I-V特性を改善する。【解決手段】 Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x≦1)からなるキャリア供給層3の上部に走行キャリアと同導電のAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>N(0≦y≦1、且つ、y<x)からなるGaN系保護層4を設け、前記GaN系保護層4上にゲート電極6及びソース・ドレイン電極7を形成するとともに、前記各電極間をSiN膜5で被覆する。
Claim (excerpt)：
Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x≦1)をキャリア供給層とし、GaNをキャリア走行層とした電界効果型化合物半導体装置において、前記キャリア供給層の上部に走行キャリアと同導電の第一導電型のAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>N(0≦y≦1、且つ、y<x)からなるGaN系保護層を設け、前記GaN系保護層上にゲート電極及びソース・ドレイン電極を形成するとともに、前記各電極間をSiN膜で被覆したことを特徴とする電界効果型化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
F-Term (17)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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