半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996204471
Publication number (International publication number)：1998051074
Application date： Aug. 02, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子に関し、レーザ発振に必要なしきい値電流密度を低減する。【解決手段】基板1上に低温バッファ層2を設けるとともに、低温バッファ層2の直上に設ける成長層3をInGaN、AlInN、或いは、AlGaInNのいずれかとし、且つ、成長層3の格子定数を活性層5の格子定数より大きくする。

Claim (excerpt)：

基板上に低温バッファ層を設けるとともに、前記低温バッファ層の直上に設ける成長層をInGaN、AlInN、或いは、AlGaInNのいずれかとし、且つ、前記成長層の格子定数を活性層の格子定数より大きくすることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-171575 Applicant：日本電気株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-307430 Applicant：日立電線株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-272321 Applicant：株式会社日立製作所

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