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J-GLOBAL ID:200903004101621210
アライメントマークの形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
大前 要
, 板東 義文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005269014
Publication number (International publication number):2007081241
Application date: Sep. 15, 2005
Publication date: Mar. 29, 2007
Summary:
【課題】 配線膜のフォトリソグラフィを高精度に行うためのアライメントマークの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板101の上に、アライメントマークの溝105となる領域を囲むように、該アライメントマークを形成する領域のディッシングを防止するためのディッシング防止膜103を形成する。ディッシング防止膜103を覆うように基板の上に層間絶縁膜104を形成する。層間絶縁膜104の表面を化学的機械的研磨法により研磨する。層間絶縁膜104中に、アライメントマークの溝105を形成する。アライメントマークの溝105の部分で、その表面にマークである溝ができるように、層間絶縁膜104の上に配線膜107を形成する。これにより、配線膜107の表面に、溝であるアライメントマークが形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
配線膜のパターニングを行うためのアライメントマークを形成する方法であって、
基板の上に、前記アライメントマークの溝となる領域を囲むように、該アライメントマークを形成する領域のディッシングを防止するためのディッシング防止膜を形成する第1工程と、
前記ディッシング防止膜を覆うように前記基板の上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、
前記層間絶縁膜の表面を化学的機械的研磨法により研磨する第3工程と、
前記層間絶縁膜中に、前記アライメントマークの溝を形成する第4工程と、
前記アライメントマークの溝の部分で、その表面にマークである溝ができるように、前記層間絶縁膜の上に前記配線膜を形成する第5工程とを備えたアライメントマークの形成方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (4):
5F046AA26
, 5F046EA12
, 5F046EA19
, 5F046FC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-173937
Applicant:NECエレクトロニクス株式会社
Cited by examiner (5)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-219173
Applicant:三洋電機株式会社
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-358248
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置の設計方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-289762
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-252729
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-353029
Applicant:日本電気株式会社
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