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J-GLOBAL ID：200903004101621210

アライメントマークの形成方法

Inventor：
佐藤 功太

About 佐藤 功太


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (2)： 大前 要 ,  板東 義文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005269014
Publication number (International publication number)：2007081241
Application date： Sep. 15, 2005
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：
【課題】 配線膜のフォトリソグラフィを高精度に行うためのアライメントマークの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板101の上に、アライメントマークの溝105となる領域を囲むように、該アライメントマークを形成する領域のディッシングを防止するためのディッシング防止膜103を形成する。ディッシング防止膜103を覆うように基板の上に層間絶縁膜104を形成する。層間絶縁膜104の表面を化学的機械的研磨法により研磨する。層間絶縁膜104中に、アライメントマークの溝105を形成する。アライメントマークの溝105の部分で、その表面にマークである溝ができるように、層間絶縁膜104の上に配線膜107を形成する。これにより、配線膜107の表面に、溝であるアライメントマークが形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
配線膜のパターニングを行うためのアライメントマークを形成する方法であって、 基板の上に、前記アライメントマークの溝となる領域を囲むように、該アライメントマークを形成する領域のディッシングを防止するためのディッシング防止膜を形成する第1工程と、 前記ディッシング防止膜を覆うように前記基板の上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、 前記層間絶縁膜の表面を化学的機械的研磨法により研磨する第3工程と、 前記層間絶縁膜中に、前記アライメントマークの溝を形成する第4工程と、 前記アライメントマークの溝の部分で、その表面にマークである溝ができるように、前記層間絶縁膜の上に前記配線膜を形成する第5工程とを備えたアライメントマークの形成方法。
IPC (1)：
H01L 21/027
FI (1)：
H01L21/30 502M
F-Term (4)：
5F046AA26 ,  5F046EA12 ,  5F046EA19 ,  5F046FC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (5)
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