Pat
J-GLOBAL ID:200903079420136383
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002358248
Publication number (International publication number):2004193268
Application date: Dec. 10, 2002
Publication date: Jul. 08, 2004
Summary:
【課題】マーク領域周辺の層間絶縁膜のディッシングを低減する。【解決手段】半導体基板上の第1の領域に第1のパターンを形成し、前記半導体基板上の第1の領域とは異なる領域に第2のパターンを形成し、前記第1及び第2のパターンを覆うように層間絶縁膜を堆積し、前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、前記フォトレジスト膜に、フォトマスクのデバイスパターンが前記第1のパターンに対応し、前記フォトマスクの位置合わせ用のマークが前記第2のパターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理を行って、フォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンを用いて前記第1及び第2のパターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を平坦化処理して、前記第1及び第2のパターンの表面を露出させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体基板上の第1の領域に第1のパターンを形成し、
前記半導体基板上の第1の領域とは異なる領域に第2のパターンを形成し、
前記第1及び第2のパターンを覆うように層間絶縁膜を堆積し、
前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、
前記フォトレジスト膜に、フォトマスクのデバイスパターンが前記第1のパターンに対応し、前記フォトマスクの位置合わせ用のマークが前記第2のパターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理を行って、フォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンを用いて前記第1及び第2のパターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、
前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を平坦化処理して、前記第1及び第2のパターンの表面を露出させる半導体装置の製造方法。
IPC (10):
H01L21/28
, H01L21/027
, H01L21/304
, H01L21/3205
, H01L21/336
, H01L21/8234
, H01L27/088
, H01L29/423
, H01L29/49
, H01L29/78
FI (9):
H01L21/28 E
, H01L21/304 622X
, H01L27/08 102C
, H01L29/58 G
, H01L21/30 502M
, H01L21/88 K
, H01L21/88 S
, H01L29/78 301G
, H01L29/78 301P
F-Term (55):
4M104CC05
, 4M104DD03
, 4M104DD75
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH12
, 5F033MM01
, 5F033QQ09
, 5F033QQ32
, 5F033QQ48
, 5F033TT08
, 5F033VV00
, 5F033VV01
, 5F033VV06
, 5F033XX01
, 5F046AA20
, 5F046EA02
, 5F046EA04
, 5F046EA13
, 5F046EA18
, 5F046EA19
, 5F046EB01
, 5F046EB05
, 5F048AA07
, 5F048AC01
, 5F048BB01
, 5F048BB03
, 5F048BB04
, 5F048BB05
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BF11
, 5F048BG13
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F140AA00
, 5F140BA01
, 5F140BF01
, 5F140BF05
, 5F140BG03
, 5F140BG04
, 5F140BG10
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG36
, 5F140BG40
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BK05
, 5F140BK13
, 5F140CB04
, 5F140CE12
, 5F140CE13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-157026
Applicant:三菱電機株式会社
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特開平1-149435
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-031828
Applicant:日本電気株式会社
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特開平4-123439
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研磨して使用する電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-097765
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-132394
Applicant:株式会社東芝
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半導体ウェハを平坦化する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-272516
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開平3-116753
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特開平2-017637
-
特開昭63-062255
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特開平1-260824
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研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-372213
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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