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J-GLOBAL ID：200903079420136383

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 齋 藤 友 博
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002358248
Publication number (International publication number)：2004193268
Application date： Dec. 10, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】マーク領域周辺の層間絶縁膜のディッシングを低減する。【解決手段】半導体基板上の第1の領域に第1のパターンを形成し、前記半導体基板上の第1の領域とは異なる領域に第2のパターンを形成し、前記第1及び第2のパターンを覆うように層間絶縁膜を堆積し、前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、前記フォトレジスト膜に、フォトマスクのデバイスパターンが前記第1のパターンに対応し、前記フォトマスクの位置合わせ用のマークが前記第2のパターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理を行って、フォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンを用いて前記第1及び第2のパターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を平坦化処理して、前記第1及び第2のパターンの表面を露出させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上の第1の領域に第1のパターンを形成し、 前記半導体基板上の第1の領域とは異なる領域に第2のパターンを形成し、 前記第1及び第2のパターンを覆うように層間絶縁膜を堆積し、 前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、 前記フォトレジスト膜に、フォトマスクのデバイスパターンが前記第1のパターンに対応し、前記フォトマスクの位置合わせ用のマークが前記第2のパターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理を行って、フォトレジストパターンを形成し、 前記フォトレジストパターンを用いて前記第1及び第2のパターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、 前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を平坦化処理して、前記第1及び第2のパターンの表面を露出させる半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (9)：

H01L21/28 E ,  H01L21/304 622X ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/58 G ,  H01L21/30 502M ,  H01L21/88 K ,  H01L21/88 S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P

F-Term (55)：

4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD75 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ32 ,  5F033QQ48 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033XX01 ,  5F046AA20 ,  5F046EA02 ,  5F046EA04 ,  5F046EA13 ,  5F046EA18 ,  5F046EA19 ,  5F046EB01 ,  5F046EB05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BF11 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CE12 ,  5F140CE13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-157026   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平1-149435
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-031828   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-123439
  
• 研磨して使用する電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-097765   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132394   Applicant：株式会社東芝
• 半導体ウェハを平坦化する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-272516   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平3-116753
  
• 特開平2-017637
  
• 特開昭63-062255
  
• 特開平1-260824
  
• 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-372213   Applicant：ティーディーケイ株式会社