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J-GLOBAL ID：200903004152473908

配線の形成方法

Inventor：
澁木 俊一

About 澁木 俊一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266862
Publication number (International publication number)：2003077917
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 溝配線を形成する際に、機械的、化学的に弱い材料からなる絶縁膜表面に傷や変質を生じることなく、絶縁膜上の余剰な導電膜を研磨もしくはドライエッチングによる除去を可能にする。【解決手段】 基板11上に絶縁膜12を形成する工程と、絶縁膜12上に犠牲膜13を形成する工程と、絶縁膜12に犠牲膜13を貫通する凹部14を形成する工程と、凹部14を埋め込む導電膜15を形成する工程と、凹部14内に導電膜15を残すように導電膜15の余剰な部分を除去することで凹部14内に埋め込まれた導電膜15で配線16を形成する工程と、犠牲層13を除去する工程とを備えた配線の形成方法により課題が解決される。
Claim (excerpt)：
基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記犠牲膜を貫通する凹部を形成する工程と、前記凹部を埋め込む導電膜を形成する工程と、前記凹部内に前記導電膜を残すように前記導電膜の余剰な部分を除去することで前記凹部内に埋め込まれた前記導電膜で配線を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程とを備えたことを特徴とする配線の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 S
F-Term (15)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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