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J-GLOBAL ID：200903004169606189

トンネル磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド

Inventor： 稲毛 健治 ,  猿木 俊司 ,  蜂須賀 望
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003022003
Publication number (International publication number)：2004234755
Application date： Jan. 30, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】TMR素子の静電破壊を防止できかつカットオフ周波数を高めることができる薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】TMR素子と、このTMR素子に並列接続された抵抗体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、TMR素子素子の抵抗値RTMRがRTMR≧240Ωであり、TMR素子の抵抗値と断面積との積RAがRA≧3Ω・μm2であり、抵抗体の抵抗値RPARAがRPARA≦480Ωである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

トンネル磁気抵抗効果素子と、該トンネル磁気抵抗効果素子に並列接続された抵抗体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値RTMRがRTMR≧240Ωであり、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値と断面積との積RAがRA≧3Ω・μm2であり、前記抵抗体の抵抗値RPARAがRPARA≦480Ωであることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド。

IPC (1)：

G11B5/39

FI (1)：

G11B5/39

F-Term (3)：

5D034BA02 ,  5D034BB01 ,  5D034CA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-010770   Applicant：富士通株式会社
• 磁気トンネル素子の作製方法及びその方法で作製した素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-204695   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコン酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-343683   Applicant：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所