シリコン酸化膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343683
Publication number (International publication number)：1999162977
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、清浄度の高い酸化雰囲気により、また、酸化処理後、熱処理を施すことにより、酸化膜の改質を行い、信頼性の高いシリコン酸化膜を形成することを目的とする。【解決手段】本発明のシリコン酸化膜の形成方法は、酸素及び水素から、触媒作用により水分を発生させ、高温に保持されたシリコンに接触させることにより、シリコンの酸化膜を形成することを特徴とする。また本発明のシリコン酸化膜の形成方法は、酸素及び水素から、触媒作用により水分を発生させ、希釈ガスを添加し、高温に保持されたシリコンに接触させることにより、シリコンの酸化膜を形成することを特徴とする。本発明の搬送方法は、上述のシリコン酸化膜の形成後に、不純物である水分が100ppb以下でありハイドロカーボンが100ppb以下のクリーン窒素またはクリーン窒素/酸素雰囲気で次行程の処理室へ搬送することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

酸素及び水素から、触媒作用により水分を発生させ、高温に保持されたシリコンに接触させることにより、シリコンの酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/68

FI (2)：

H01L 21/316 S , H01L 21/68 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-122699 Applicant：大見忠弘
絶縁膜形成装置及び絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-087957 Applicant：ソニー株式会社
半導体製造システム及びクリーンルーム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-220793 Applicant：大見忠弘

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