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J-GLOBAL ID：200903004178882113

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
吉田 浩

About 吉田 浩


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242204
Publication number (International publication number)：2000077785
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 迷光を低減することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 サファイアよりなる基板11の一面に、n型AlGaNよりなるn型クラッド層25b,InGaNよりなる活性層26およびp型AlGaNよりなるp型クラッド層27cなどを積層した構造部20を形成する。n側電極12およびp側電極14を構造部20に対して基板11の反対側に設ける。基板11の他面には金属などよりなる吸収部15を設け、活性層26における発光波長以下の波長を有する光を吸収することができるようにする。パッケージに収納して用いても、吸収部15により迷光を吸収することができるので、迷光を低減することができる。
Claim (excerpt)：
順次積層された第1導電型半導体層,活性層および第2導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して垂直な方向に位置する側面と、積層方向の一方に位置し第1導電型半導体層よりなる第1面と、積層方向の一方に位置し第2導電型半導体層よりなる第2面と、積層方向の他方に位置する第3面とをそれぞれ有し、活性層において光を発生する構造部と、この構造部の第1面に設けられた第1の電極と、前記構造部の第2面に設けられた第2の電極と、前記構造部の側面側および第3面側のうちの少なくとも一部に設けられ、前記構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/30 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
F-Term (17)：
5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
  • 成膜用基板および電気素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-182545   Applicant：日本酸素株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189880   Applicant：シヤープ株式会社
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Cited by examiner (5)
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
  • 成膜用基板および電気素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-182545   Applicant：日本酸素株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189880   Applicant：シヤープ株式会社
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