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J-GLOBAL ID：200903004209880904

有機薄膜トランジスタ

Inventor： 鎌田 俊英 ,  吉田 学
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086374
Publication number (International publication number)：2003282883
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 真空蒸着などの汎用薄膜プロセスで作成される有機薄膜トランジスタ技術においては、半導体が多結晶状態で製膜されることから、結晶粒界におけるエネルギー障壁が原因となって、十分大きな移動度が得られず、ソース-ドレイン間電流が十分大きく取れないという問題がある。【解決手段】 本願発明においては、有機半導体薄膜の結晶粒界部位に、エネルギー障壁を低減させる他物質を導入するために、有機半導体層50における絶縁層60と対極側に、半導体層50とは逆極性を有する有機化合物20を付着させた構造とした。

Claim (excerpt)：

基板内又は上にゲート電極並びに該ゲート電極及び該基板を覆うごとくに絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に有機半導体層が形成され、該有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極が形成されている有機薄膜トランジスタにおいて、該ソース電極と該ドレイン電極の間であって、該有機半導体層上に電子受容性化合物層が形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (4)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 E

F-Term (29)：

5F110AA07 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-255669
  
• 光・電子機能材料およびその薄膜の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061839   Applicant：三菱電機株式会社
• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-076201   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 有機薄膜トランジスタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-345004   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション