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J-GLOBAL ID:200903004307436753
半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
松山 隆夫
, 鳥居 洋
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005097726
Publication number (International publication number):2006278860
Application date: Mar. 30, 2005
Publication date: Oct. 12, 2006
Summary:
【課題】 1.1μmよりも短波長な発光波長を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、活性層6を備える。活性層6は、6個の量子ドット層61と、5個の間隙層62とを含む。6個の量子ドット層61および5個の間隙層62は、交互に積層される。5個の間隙層62の各々は、ノンドープのGaAsからなる。そして、5個の間隙層62の各々は、30〜50nmの膜厚を有する。6個の量子ドット層61の各々は、量子ドット611とキャップ層612とからなる。量子ドット611は、InyAl1-yAs(y=0.5〜0.9)からなり、キャップ層612は、AlxGa1-xAs(x=0.0〜0.5)からなる。量子ドット611は、1.8〜2.4モノレイヤーのInyAl1-yAsを結晶成長することにより形成される。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
第1の波長よりも短い第2の波長を発光する半導体発光素子であって、
第1のバリア層と、
前記第1のバリア層に接して形成された活性層と、
前記活性層に接して形成された第2のバリア層とを備え、
前記活性層は、
前記第1の波長を発光するときの第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップを有する量子ドットと、
前記量子ドットを覆うように形成されたキャップ層とを含む、半導体発光素子。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (18):
2F105BB01
, 2F105DD07
, 2F105DE01
, 2F105DE21
, 5F173AA08
, 5F173AB49
, 5F173AD11
, 5F173AF09
, 5F173AG12
, 5F173AH03
, 5F173AP10
, 5F173AP33
, 5F173AP87
, 5F173AQ13
, 5F173AQ20
, 5F173AR02
, 5F173AR07
, 5F173AS10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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リングレーザジャイロ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-164666
Applicant:日本航空電子工業株式会社
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光ジャイロ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-033277
Applicant:キヤノン株式会社
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特開平4-174317号公報
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光ジャイロ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-296581
Applicant:キヤノン株式会社
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Cited by examiner (7)
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単結晶薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-223785
Applicant:京セラ株式会社
-
半導体構造およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-289496
Applicant:日本電信電話株式会社
-
量子ドットカスケードレーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-184786
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体量子ドット素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-363281
Applicant:日本電気株式会社
-
量子ドット半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-325405
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体量子ドット素子および該半導体量子ドット素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-016404
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体立体量子構造の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-246746
Applicant:日本電気株式会社
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